Manufacturer:	ON Semiconductor
Product Category:	Bipolar Transistors - BJT
RoHS:	Details
Mounting Style:	Through Hole
Package/Case:	TO-220-3
Transistor Polarity:	NPN
Configuration:	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	80 V
Collector- Base Voltage VCBO:	80 V
Emitter- Base Voltage VEBO:	5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	1.1 V
Maximum DC Collector Current:	10 A
Pd - Power Dissipation:	90 W
Gain Bandwidth Product fT:	1.5 MHz
Minimum Operating Temperature:	- 55 C
Maximum Operating Temperature:	+ 150 C
Series:	BD809
Packaging:	Tube
Length:	10.53 mm
Technology:	Si
Width:	4.83 mm
Brand:	ON Semiconductor
Continuous Collector Current:	10 A
DC Collector/Base Gain hFE Min:	30

Yorumlar

Bu ürüne ilk yorumu siz yapın!

Yorum Yaz

Taksit Seçenekleri

Önerileriniz

Bu ürünün fiyat bilgisi, resim, ürün açıklamalarında ve diğer konularda yetersiz gördüğünüz noktaları öneri formunu kullanarak tarafımıza iletebilirsiniz.
Görüş ve önerileriniz için teşekkür ederiz.

Ürün resmi kalitesiz, bozuk veya görüntülenemiyor.

Ürün açıklamasında eksik bilgiler bulunuyor.

Ürün bilgilerinde hatalar bulunuyor.

Ürün fiyatı diğer sitelerden daha pahalı.

Bu ürüne benzer farklı alternatifler olmalı.

BD809G

Tavsiye Et