IRFD123

IRFD123 MOSFET, orta voltaj ve yüksek akım uygulamaları için tasarlanmış N-Channel güç transistörüdür. International Rectifier tarafından üretilen bu MOSFET, düşük iletim direnci (Rds(on)) ve hızlı anahtarlama performansı sayesinde enerji verimliliğini artırır ve güç kayıplarını minimuma indirir.

IRFD123 etkili ısı dağılımı ve kolay montaj imkanı sunarak SMPS, motor sürücüleri ve düşük voltajlı güç kaynakları gibi devrelerde güvenilir performans sağlar. IRFD123, orta güç gerektiren elektronik uygulamalar için ideal bir çözümdür.

IRFD123 Teknik Özellikleri

• Kanal Tipi: N-Channel MOSFET

• Drain-Source Voltajı (Vds): 100V

• Sürekli Drain Akımı (Id): 10A

• Rds(on): ≈0.15Ω

• Paket Tipi:HVMDİP-4

• Maksimum Çalışma Sıcaklığı: 150°C

• Hızlı anahtarlama performansı

Kullanım Alanları

• Anahtarlamalı güç kaynakları (SMPS)

• Motor sürücü devreleri

• DC-DC dönüştürücüler

• Düşük ve orta voltajlı güç sistemleri

• Endüstriyel elektronik uygulamalar

• Elektronik modüllerde anahtarlama devreleri

IRFD123 MOSFET, orta voltaj ve yüksek akım gerektiren uygulamalarda güvenilir anahtarlama performansı ve düşük iletim direnci ile modern elektronik devreler için ideal bir transistör çözümüdür.